首页> 中国专利> 用于制造具有用于外部封装连接性的贯穿晶片过孔的晶片级封装的方法和相关的结构

用于制造具有用于外部封装连接性的贯穿晶片过孔的晶片级封装的方法和相关的结构

摘要

根据一个示例性实施例,一种用于制造晶片级封装的方法包括:在器件晶片上形成聚合物层,其中所述器件晶片包括至少一个器件晶片接触衬垫和器件,并且其中所述至少一个器件晶片接触衬垫被电连接到所述器件。所述方法还包括将保护晶片接合到所述器件晶片。所述方法还包括在所述保护晶片中形成至少一个过孔,其中所述至少一个过孔延伸贯穿所述保护晶片并且位于所述至少一个器件晶片接触衬垫之上。所述方法还包括在所述保护晶片上形成至少一个保护晶片接触衬垫,其中所述至少一个保护晶片接触衬垫位于所述至少一个过孔之上并且被电连接到所述至少一个器件晶片接触衬垫。

著录项

  • 公开/公告号CN101248518A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-08-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 斯盖沃克斯瑟路申斯公司;

    申请/专利号CN200680006445.4

  • 发明设计人 Q·甘;A·J·罗比安柯;R·W·华伦;

    申请日2006-03-09

  • 分类号H01L21/44;

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人杨晓光

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2023-12-17 20:41:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-08-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/44 公开日:20080820 申请日:20060309

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-10-15

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-08-20

    公开

    公开

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