在放置于射频等离子体之外的衬底上形成薄膜的技术

摘要

本发明公开了一种完全新颖的薄膜沉积的方法，特别是一个方法采用具有三个平行电极的RF－PECVD系统的镀膜方法。此方法将基板放置于通常盛有基板的等离子体区域之外。在两个平行的用于产生等离子体的电极板上事先镀有硅材料，该材料在具有蚀刻性的等离子体激发下从电极上被剥离掉，并以扩散的方式透过网状的正电极而达到并沉积在置于正电极后面的基板上。这种镀膜方式的优点包括它不依赖于外界提供的硅原材料，从而达到良好的大面积镀膜的均匀性，而且即使在使用大功率，从而得到很高的增长速率时，薄膜的性能也不会受到具有很强轰击性的等离子体的影响。