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公开/公告号CN101133494A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-02-27
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;汉阳大学校产学协力团;
申请/专利号CN200580047811.6
发明设计人 金太焕;金暎镐;金宰浩;郑载勋;尹荣培;林圣根;
申请日2005-09-26
分类号H01L27/115(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人黄启行;穆德骏
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 19:45:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-12-02
授权
2008-04-23
实质审查的生效
2008-02-27
公开
机译: 使用在聚合物薄膜中形成的纳米颗粒的非易失性聚合物双稳态存储器件及其制造方法
机译: 利用嵌入在聚合物薄膜中的纳米颗粒作为电荷捕获区域的非易失性有机双稳态存储器件及其制造方法
机译: 二维二维层压复合结构双稳态非易失性存储器件及其制造方法
机译:聚合物-超石墨石墨片-聚合物复合结构的柔性非易失性双稳态有机存储器件
机译:基于CdSe / ZnS纳米颗粒/聚合物杂化复合材料的存储器件的非易失性双稳态和工作机理
机译:基于双稳态电开关的具有共价键合C-60的聚(N-乙烯基咔唑)薄膜的非易失性聚合物存储器件
机译:基于纳米结构聚合物材料的非易失性有机晶体管存储器件
机译:基于氮化物的局部电荷陷阱非易失性存储器件的阈值电压不稳定性。
机译:基于铜酞菁的非易失性存储器件薄膜
机译:用于可重写非易失性存储器件的大面积配位聚合物膜的界面合成
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。