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防止因热引起劣化的半导体器件用接触件及其制造方法

摘要

本发明的接触件通过在金属弹簧膜的表面层叠形状记忆合金膜而构成,其形状为圆锥螺旋状。其制造方法包括金属牺牲膜的制造工序、抗蚀锥形成工序、抗蚀膜图案形成工序、形状记忆合金膜制造工序等11个工序。由于有机系抗蚀剂材料不具有耐热性,所以,预先形成金属牺牲膜,在形状记忆合金膜的溅射之前进行抗蚀剂除去,在高温下进行的形状记忆合金的溅射及热处理之后除去金属牺牲膜,对剩余的形状记忆合金膜进行去除。由此,可提供即使反复进行老化试验也能够防止形状永久变形的接触件及其制造方法。

著录项

  • 公开/公告号CN101118995A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-02-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 阿尔卑斯电气株式会社;

    申请/专利号CN200710143722.2

  • 发明设计人 村田真司;

    申请日2007-08-02

  • 分类号H01R13/24;H01R43/16;H01R33/76;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人刘建

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 19:41:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01R13/24 公开日:20080206 申请日:20070802

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2008-04-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-02-06

    公开

    公开

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