公开/公告号CN101118995A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-02-06
原文格式PDF
申请/专利权人 阿尔卑斯电气株式会社;
申请/专利号CN200710143722.2
发明设计人 村田真司;
申请日2007-08-02
分类号H01R13/24;H01R43/16;H01R33/76;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人刘建
地址 日本东京都
入库时间 2023-12-17 19:41:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-07-14
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01R13/24 公开日:20080206 申请日:20070802
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-04-02
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-02-06
公开
公开
机译: 半导体器件的触点可抵抗因热而引起的劣化以及触点的制造方法
机译: 半导体器件的触点可抵抗因热而引起的劣化以及触点的制造方法
机译: 具有垂直沟道晶体管的半导体器件及其制造方法,能够防止由于掺杂剂扩散而引起的栅极绝缘层的劣化