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公开/公告号CN101101935A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-01-09
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN200610111262.0
发明设计人 赵德刚;杨辉;梁骏吾;李向阳;龚海梅;
申请日2006-08-17
分类号H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-17 19:32:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-07-15
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-27
实质审查的生效
2008-01-09
公开
机译: 第二肖特基接触金属层可提高GaN肖特基二极管的性能
机译:非对称肖特基势垒对GaN基金属-半导体-金属紫外探测器的影响
机译:GaN肖特基紫外探测器中的持久光电流和表面陷阱
机译:通过添加薄的AlGaN窗口层来提高GaN基肖特基势垒紫外光电探测器的性能
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机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:Ni / GaN肖特基结红斑紫外探测器的制备与表征
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