减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构及其制备方法

摘要

一种减小激光直写光刻点或线宽的薄膜结构及其制备方法，该薄膜结构包括无机相变薄膜层和缓冲层，所述的无机相变薄膜层由AgInSbTe或GeSbTe或SbTe构成，所述的缓冲层由热导率高的金属或半导体材料构成。该薄膜结构采用直流磁控溅射法制备，本发明薄膜结构具有膜层结构简单、工艺易控制和基片要求低等优点。试验证明可以明显减小激光直写光刻点和线宽的尺寸。