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公开/公告号CN101060135A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-10-24
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN200710110401.2
发明设计人 周发龙;吴大可;黄如;诸葛菁;田豫;张兴;
申请日2007-06-05
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构北京君尚知识产权代理事务所;
代理人贾晓玲
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2023-12-17 19:20:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-06-17
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-19
实质审查的生效
2007-10-24
公开
机译: 双极硅纳米线场效应晶体管
机译: 垂直硅纳米线场效应晶体管的制备方法
机译: 一种具有钳制接触的场效应晶体管的制备方法,其具有较低一致性的蚀刻停止层和场效应晶体管
机译:单光晕掺杂双材料围栅金属氧化物半导体场效应晶体管的分析建模与仿真
机译:纳米级单栅,双栅和围栅场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动的比较
机译:超高灵敏度PH传感器,采用硅纳米线通道双栅场效应晶体管由ElectromeOM聚乙烯吡咯烷酮纳米纤维图案模板转移制造
机译:全能栅双硅纳米线场效应晶体管热载流子可靠性研究
机译:硅纳米线场效应晶体管的开发。
机译:基于硅纳米线双栅场效应晶体管的高敏感和选择性钠离子传感器
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:I.热发射树脂珠粒质谱双灯丝排列评估 - a.82。 II。用于反应堆燃料中钚和铀质量分析的快速散装树脂珠样品制备方法 - a.56。