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反熔丝及其程式化方法

摘要

一种反熔丝,由衬底、栅极及栅介电层构成。栅极位于衬底上。栅介电层位于栅极及衬底之间。此反熔丝的程式化方法是施加一偏压于栅极与衬底之间,造成栅介电层击穿,使击穿后的栅极至衬底的电阻值小于击穿前的栅极至衬底的电阻值。应用此反熔丝可以减少熔丝需要的芯片面积,并可以在芯片封装后进行程式化。

著录项

  • 公开/公告号CN101043027A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-09-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200610068023.1

  • 发明设计人 吴炳昌;

    申请日2006-03-23

  • 分类号H01L23/525;H01L29/78;

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区

  • 入库时间 2023-12-17 19:07:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-09-23

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-11-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-09-26

    公开

    公开

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