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MTM反熔丝薄膜单项工艺DOE试验设计开发方法

         

摘要

MTM (Metal To Metal)反熔丝薄膜工艺是反熔丝工艺的关键技术.介绍了MTM反熔丝薄膜单项工艺开发采用的DOE (Design of Experiment)试验方法.基于CVD (Chemical Vapor Deposition)工艺,通过对射频RF、气体1流量以及基座间距进行DOE试验设计,以厚度均匀性、折射率以及应力等工艺参数响应并通过容宽验证,完成反熔丝薄膜主要参数的工艺菜单开发.主要提供一种采用DOE试验设计进行单项工艺开发的方法,为科研生产中各种关键单项工艺开发提供参考和借鉴.

著录项

  • 来源
    《电子与封装》 |2018年第9期|45-48|共4页
  • 作者单位

    中国电子科技集团公司第五十八研究所;

    江苏无锡214072;

    中国电子科技集团公司第五十八研究所;

    江苏无锡214072;

    中国电子科技集团公司第五十八研究所;

    江苏无锡214072;

    中国电子科技集团公司第五十八研究所;

    江苏无锡214072;

    中国电子科技集团公司第五十八研究所;

    江苏无锡214072;

    中国电子科技集团公司第五十八研究所;

    江苏无锡214072;

    中国电子科技集团公司第五十八研究所;

    江苏无锡214072;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 真空镀膜;
  • 关键词

    单项工艺; 反熔丝薄膜; DOE试验设计方法;

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