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GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法

摘要

一种GaAs基单模面发射量子级联激光器结构,包括:一衬底,及在衬底上依次生长的背欧姆接触电极、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、隔离层,该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆盖层的侧面,该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口;一上欧姆接触电极,该上欧姆接触电极淀积在隔离层上并覆盖电流注入窗口除去中间宽W的裸露光栅区;一表面二级分布反馈光栅,该二级分布反馈光栅制作在上覆盖层上,深度接近上覆盖层;一电极引线,该电极引线制作在表面二级分布反馈光栅两侧台阶上的上欧姆接触电极上。

著录项

  • 公开/公告号CN101026287A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-08-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200610003179.1

  • 申请日2006-02-22

  • 分类号H01S5/20;H01S5/187;H01S5/343;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-17 19:03:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-02-11

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-10-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-08-29

    公开

    公开

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