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一种减小准分子激光直写刻蚀横向影响区的方法

摘要

本发明涉及一种减小准分子激光刻蚀横向影响区的装置,属于准分子激光微加工领域。主要包括有激光器(1)、掩模(4)、投影物镜(6)、试样(7),其中,激光器1发出的主光束经过第一反射镜(2)、第二反射镜(3)到达掩模(4),将掩模(4)的图案经过第三反射镜(5)反射到投影物镜(6),投影物镜(6)缩小后的图案成像到试样(7)的表面,进行刻蚀,其特征在于:试样(7)设置在水槽(8)的底部,水槽(8)内注有液体,试样(7)的刻蚀表面低于液面。采用本发明进行在液体下加工,提高了准分子激光刻蚀微结构表面形貌的质量,获得高质量的微细加工结构,实施方法简单,使准分子激光微加工工艺进一步完善。

著录项

  • 公开/公告号CN1994653A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-07-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN200610169837.4

  • 申请日2006-12-29

  • 分类号B23K26/12;B23K26/18;B23K26/36;

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人沈波

  • 地址 100022 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-12-17 18:50:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-07-15

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-09-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-07-11

    公开

    公开

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