多偏置多种栅极的模拟电路结构及相关方法

摘要

一种多偏置多种栅极的模拟电路结构及相关方法。在模拟电路中，不同栅极氧化层厚度的元件/晶体管偏置在不同的电压，以直接结合不同种类元件的特性来提升模拟电路的整体性能，例如可用1.8伏偏置0.18微米的薄氧化层晶体管，以发挥这类元件快速、低功率消耗的特性，并以3.3伏偏置0.35微米的厚氧化层晶体管，以实施模拟电路的宽广信号摆动范围。