公开/公告号CN1981070A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-06-13
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN200580003111.7
申请日2005-01-26
分类号C23C18/16;H01L21/00;
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人赵飞
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 18:42:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-08-25
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C18/16 公开日:20070613 申请日:20050126
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-06-13
公开
公开
机译: 用于转化半导体衬底以形成金属反射层的方法,用于在衬底上沉积不自限反射金属的层的方法,用于制造半导体器件和金属氧化物的半导体器件的方法
机译: 在衬底上无电流沉积金属层例如银的方法包括在衬底上产生封闭层,除去溶剂并使该层与含有待沉积金属的溶液接触。
机译: 用于接收要沉积在其上的半导体衬底的衬底基座以及在半导体衬底上沉积材料的方法