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用于Ⅲ族氮化物基器件的硅碳锗(SiCGe)衬底

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摘要

本发明提供了用于由III族氮化物材料系统形成的电子器件的衬底，该衬底包含硅碳层以及在该硅碳层上的硅碳锗层，该硅碳层和硅碳锗层形成了用于由III族氮化物材料系统形成的器件的衬底。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-09-17

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/20 授权公告日:20100929 终止日期:20130726 申请日:20060726

专利权的终止
2010-09-29

授权

授权
2008-09-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-01-31

公开

公开

1. 用于III族氮化物基器件的硅碳锗(SiCGe)衬底及其形成方法 [P] . 中国专利： CN1905132B . 2010.09.29
2. 用于Ⅲ族氮化物基器件的硅碳锗(SiCGe)衬底 [P] . 中国专利： CN1905132A . 2007-01-31
3. Silicon carbon germanium (SiCGe) substrate for a group III nitride-based device [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1748497A3 . 2008-05-14

机译：用于基于III族氮化物的器件的硅碳锗（SiCGe）衬底
4. Silicon carbon germanium (SiCGe) substrate for a group III nitride-based device [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1748497A2 . 2007-01-31

机译：用于基于III族氮化物的器件的硅碳锗（SiCGe）衬底
5. Silicon carbon germanium (SiCGe) substrate for a group III nitride-based device [P] . 美国专利： US2007023761A1 . 2007-02-01

机译：用于基于III族氮化物的器件的硅碳锗（SiCGe）衬底