使用C4晶片级厚金属集成流程的喷涂或层压处理厚ILD层的方法

摘要

本发明涉及一种在可控塌陷芯片连接(C4)凸块下制造带有一个或多个晶片级厚金属层的互连结构的工艺流程。该互连结构可被用于微处理器的后端互连。该工艺流程可包括在具有大纵横比结构的表面通过喷涂或层压来构成层间电介质。