喷涂或层压处理厚ILD层的方法及装置

摘要

本发明涉及一种在可控塌陷芯片连接(C4)凸块下、在管芯或晶片级，用一个或多个厚金属层制造互连结构的工艺流程。该互连结构可被用于微处理器的后端互连。该工艺流程可包括在具有大纵横比结构的表面上通过喷涂或层压来形成层间电介质。