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具有包括半导体纳米晶体的浮栅的非易失存储器件

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摘要

一种用于场效应晶体管(150)的浮栅(156)(和其制造方法和形成均匀纳米颗粒阵列的方法)包括多个离散纳米颗粒(156)，其中纳米颗粒的尺寸、间隔和密度中的至少之一被自组装材料做模板和限定。

公开/公告号CN1799131A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-07-05

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN200480015225.9
发明设计人查尔斯·布莱克;凯思琳·瓜里尼;
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申请日2004-06-17
分类号H01L21/336(20060101);H01L21/8246(20060101);H01L21/8247(20060101);H01L27/115(20060101);H01L29/788(20060101);H01L29/792(20060101);
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人张浩
地址美国纽约
入库时间 2023-12-17 17:29:38

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-08-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/336 授权公告日:20100203 终止日期:20110617 申请日:20040617

专利权的终止
2010-02-03

授权

授权
2006-08-30

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-07-05

公开

公开

1. 具有包括半导体纳米晶体的浮栅的非易失存储器件 [P] . 中国专利： CN1799131A . 2006-07-05
2. 包括一电阻器和一晶体管的非易失存储器件 [P] . 中国专利： CN1790719B . 2011.08.24
3. NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING MOS TRANSISTOR HAVING FLOATING GATE AND CONTROL GATE TO SIMPLIFY SEMICONDUCTOR FABRICATION PROCESS [P] . 韩国专利： KR20040103302A . 2004-12-08

机译：非易失性半导体存储器件，包括具有浮栅和控制栅的MOS晶体管，可简化半导体制造过程
4. Semiconductor memory device having electrically floating body transistor, semiconductor memory device having both volatile and non-volatile functionality and method or operating [P] . 美国专利： US9153309B2 . 2015-10-06

机译：具有电浮体晶体管的半导体存储器件，具有易失性和非易失性功能性的半导体存储器件以及方法或操作
5. Semiconductor Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Memory Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating [P] . 美国专利： US2013015517A1 . 2013-01-17

机译：具有电浮体晶体管的半导体存储器件，具有易失性和非易失性功能的半导体存储器件及其操作方法