法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/778 授权公告日:20080423 终止日期:20171230 申请日:20041230
专利权的终止
2008-04-23
授权
授权
2006-08-30
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-07-05
公开
公开
机译: 氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法,该晶体管在基于氮化镓的帽段上具有栅极触点
机译: 在基于氮化镓的帽段上具有栅极触点的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管
机译: 氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管的制造方法,该晶体管在基于氮化镓的帽段上具有栅极触点