公开/公告号CN1790638A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-06-21
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN200510073332.3
申请日2005-05-31
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);
代理机构11019 北京中原华和知识产权代理有限责任公司;
代理人寿宁;张华辉
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
入库时间 2023-12-17 17:20:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-11-12
授权
授权
2006-08-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-06-21
公开
公开
机译: 制备具有减小的表面场结构的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的方法
机译: 具有减小的表面场结构的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译: 具有减小的表面场结构的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管