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基于掩模层的光学性能在衬底上对准图形的方法及相关器件

摘要

一种制造半导体器件的方法,包括,在衬底上形成材料层,在材料层上形成掩模层,以及将氮离子注入掩模层中,以减小其光吸收。在材料层和衬底之间可以形成对准键,以及可以通过注入的掩模层光学地确定对准键的位置。注入的掩模层可以被构图,以限定掩模图形,以及可以使用掩模图形作为刻蚀掩模,构图材料层。还论述了相关器件。

著录项

  • 公开/公告号CN1760754A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2006-04-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200510108599.1

  • 发明设计人 申壮浩;李昔柱;赵汉九;禹相均;

    申请日2005-10-11

  • 分类号G03F1/00;G03F1/08;G03F9/00;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人林宇清

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 17:12:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F1/00 公开日:20060419 申请日:20051011

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-12-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-04-19

    公开

    公开

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