法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-07-14
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G03F1/00 公开日:20060419 申请日:20051011
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-12-12
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-04-19
公开
公开
机译: 用于半导体器件的发射辐射的半导体器件包括:衬底,该衬底具有包含开口的掩模层;以及半导体层,该半导体层布置在衬底上的开口区域中以及掩模层上
机译: 在处理室中的层沉积期间用于支撑衬底载体和掩模载体的保持装置,用于在衬底上沉积层的设备以及将掩模载体与支撑衬底的衬底载体对准的方法
机译: 在处理室中进行层沉积期间用于支撑衬底载体和掩模载体的保持装置,用于在衬底上沉积层的设备以及将掩模载体与支撑衬底的衬底载体对准的方法