用在电荷陷阱非挥发性记忆体中的频谱位移的动作设计

摘要

本发明提供一种可用重注入循环将其程式化，并且具有电荷陷阱结构的记忆胞。重注入循环包括一个程式化脉冲，其后再加上一个可让电子从电荷陷阱结构中跳出的电荷平衡脉冲。重注入循环会对电荷陷阱结构的电荷陷阱分布产生一个频谱蓝偏移效应。本发明提供的方法包括在程式化脉冲之后，执行程式化检验动作，如果可在多数个重注入循环之后，成功通过程式化检验动作，即可宣告结束。