Thin Film Nano and Microelectronics Research Laboratory, Texas AM University, College Station, TX 77843, USA;
机译:纳米晶氧化钌嵌锆掺杂氧化ha高k非易失性存储器
机译:用于非易失性存储器的纳米晶氧化锌嵌入锆掺杂的氧化ha高k电介质的电荷去俘获和介电击穿
机译:用于非易失性存储器的纳米晶氧化锌嵌入锆掺杂的氧化ha高k电介质的电荷去俘获和介电击穿
机译:在锆掺杂氧化铪氧化物高K膜中嵌入纳米晶钌氧化物以进行非易失性存储器
机译:纳米晶体嵌入锆掺杂的氧化ha高k栅极介电膜。
机译:灵活的准van der Wa族铁电铪基氧化物用于集成高性能非易失性记忆
机译:纳米晶嵌入锆掺杂的氧化Ha高k栅介质膜
机译:纳米晶氧化铪薄膜的结构和光学性质(postprint)。