三星宣布开始量产新世代非挥发性记忆体PRAM

摘要

三星电子在台北六福皇宫酒店举办的第六届三星行动解决方案论坛中．正式宣布已开始量产512-Megabit（Mb）相位变化随机存取记忆体芯片（PRAM，phase change random access memory）。PRAM这种新型的非挥发性记忆体技术兼具了高效能及低耗电的特色，预期将可使移动装置的记忆体技术进入新的阶段。