PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺

摘要

本发明涉及PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其步骤为(1)采用正性光刻胶旋涂于基片上，干后，取出置于掩膜之下，在曝光台上曝光，放置到碱性溶液中显影，待显出所需图形后取出，冲洗，干后即可。(2)把带有光刻胶的基片放入PECVD沉积室中，进行沉积SiN薄膜。(3)将基片取出放置于酮类溶液中，待光刻胶脱离基片后，冲洗并烘干，即可。采用本发明工艺加工PECVD沉积SiN薄膜的图形，使SiN薄膜能够方便地成为所需要的图形和结构，避免了干法刻蚀对SiN薄膜和光刻胶的损伤、侵蚀和破坏。本发明的PECVD沉积SiN薄膜可作为MEMS器件绝缘层、隔离层，具有较好的绝缘强度，厚度约为0.1～0.4μm。