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执行掩模图案的透射调节以改善处理宽容度的方法

摘要

一种用在光刻工艺中的产生掩模的方法。该方法包括确定具有多个将被成像的特征的目标掩模图案和用于成像掩模的照明系统;识别在目标图案中的临界间距并为了成像临界间距而优化照明系统的照明设置;识别目标图案的禁用间距;并且修正具有等于或基本上等于禁用间距的间距的特征的透射率以致于等于或基本上等于禁用间距的特征的曝光宽容度增加。

著录项

  • 公开/公告号CN1674226A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-09-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML蒙片工具有限公司;

    申请/专利号CN200410103273.5

  • 申请日2004-11-05

  • 分类号H01L21/027;G03F7/20;G01B11/00;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张雪梅

  • 地址 荷兰维尔德霍芬

  • 入库时间 2023-12-17 16:33:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-11-18

    专利权的视为放弃

    专利权的视为放弃

  • 2006-08-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-09-28

    公开

    公开

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