减少软错误率的负微分电阻元件和存储器

摘要

一种有源负微分电阻元件(NDRFET)(100)和使用所述元件的存储设备(例如SRAM)被揭示。NDR FET(100)和所述存储设备的软错误率(SER)性能通过调整用于完成NDR性能的电荷捕获层中的电荷阱(131，132)的位置而被加强。SER和开关速度性能特性能够通过电荷阱(131，132)的合适布置而被定制。