半导体激光二极管的MBE生长

摘要

一种以(Al，Ga，In)N材料系统制造连续波半导体激光二极管的方法包括：依次生长第一覆层区域(4)，第一光制导区(5)，有源区域(6)，第二光制导区(7)和一第二覆层(8)。该第一覆层区域(4)，该第一光制导区(5)，该有源区域(6)，该第二光制导区(7)和该第二覆层(8)中的每一个都是由分子束外延生长淀积的。