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曲轶; 高欣; 张宝顺; 薄报学; 张兴德;
长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室;
半导体激光器; 高功率半导体激光器; 分子束外延; 激光器阵列;
机译:2.1.1短波长高功率半导体激光器的趋势:聚焦于光盘的LD
机译:一种新的外延在Si基板上生长高质量GaN薄膜的新方法:MBE和PLD的组合
机译:MBE法用双射频氮等离子体电池生长高铟含量的InGaN:Mg薄膜
机译:高功率808nm Ingaalas半导体激光器由MBE
机译:MBE在纳米图案化的衬底上生长高度有序的砷化铟/砷化镓和砷化铟镓/砷化镓量子点。
机译:在Si衬底上外延生长高质量GaN膜的新方法:MBE和PLD的结合
机译:MBE在GaSb / GaAs层上堆叠生长高密度InAs量子点
机译:用于分析半导体激光器mBE量子点生长初始阶段的高级RHEED仪器
机译:氮化物半导体激光器的MBE生长
机译:可以使来自上方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位与来自下方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位相匹配的大功率半导体激光器阵列装置,该半导体激光器阵列装置的制造方法以及使用该装置的多波长激光发射装置半导体激光器阵列装置
机译:高功率半导体激光器阵列装置,可以从上方匹配来自半导体激光器单元的激光束的波长和相位,以下是由半导体激光器单元制造的激光束的制造方法,以及使用这种方法的半导体激光器的应用半导体激光阵列装置
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