机译:MBE生长的808 nm波长的半导体可饱和激光辐射吸收剂:生长条件的选择
molecular beam epitaxy; semiconductor saturable absorber; ultra short laser pulses; MIRROR; REFLECTOR;
机译:MBE生长的808 nm波长的半导体可饱和激光辐射吸收剂:生长条件的选择
机译:低温生长的近表面半导体可饱和吸收镜:设计,生长条件,特性和锁模操作
机译:在880 nm直接泵浦下具有半导体可饱和吸收镜的被动锁模生长在一起的复合YVOn / Nd:YVO4晶体激光器
机译:低阈值GAINAS量子孔通过固体源MBE在低生长速率下生长1200nm波长范围
机译:外延战略的发展,以发展用于无源锁模光泵浦垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)的新型半导体可饱和吸收镜(SESAM)
机译:不同波长(940、808和658 nm)激光照射对压力性溃疡愈合的影响:一项临床研究的结果
机译:使用GaAs基材的变质生长的长波长快速半导体可饱和吸收器镜