机译:在GaAs衬底上使用变质生长的长波快速半导体可饱和吸收镜
机译:利用分子束外延在GaAs上生长的变质InP的长波长半导体可饱和吸收镜
机译:用于高功率锁模薄盘激光器的InGaAs和InGaAsN半导体可饱和吸收镜的特性
机译:带有InGaAsN / GaAsN快速饱和吸收镜的1.55µm VECSEL产生的室温皮秒锁模脉冲
机译:外延战略的发展,以发展用于无源锁模光泵浦垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)的新型半导体可饱和吸收镜(SESAM)
机译:具有飞秒光纤激光器应用的短周期超晶格封盖结构的1550 nm InAs / GaAs量子点可饱和吸收镜的开发
机译:耐温快速Inxga1-XAS / GaAs量子点可饱和吸收器,用于外延集成到半导体表面发射激光器中