酸化ガリウム半導体の分子線エビタキシー（MBE）成長とショットキーダイオード

摘要

酸化ガリウム半導体の高速ホモエピタキシャル成長技術と∩型ドーピング技術を，分子線エビタキシー（MBE）法を用いて開発した。基板面方位の検討により，3.5μm/h以上の成長速度と，10~(16)～10~(19)cm~(-3)の広い範囲でのドナー濃度制御を実現した。本技術を用いて試作したショットキーパリアダイオードは従来の報告値を大きく上回る特性を示した。