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刘国军; 张千勇;
长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室;
分子束外延; 半导体激光器; MBE; 光电子器件;
机译:长波长材料的气源MBE生长及其在半导体激光器中的应用
机译:MBE使用N_2 / Ar RF等离子体通过MBE生长的1.3μmInGaNAs激光材料的特性
机译:MBE在邻近(1 1 1)B InP衬底上通过MBE生长的InAlAs层的材料特性
机译:不同生长条件下MBE在A1_2O_3(0001)基体上MBE生长的具有Ga或N面极性的GaN薄膜的材料性能
机译:极性对氨MBE生长的氮化镓的生长和材料性能的影响。
机译:通过原位脉冲激光拍摄使MBE-生长的GA-DROPLET的容易尺寸重新分配。
机译:主要由amE和pa-mBE生长的III-V半导体材料的生长和表征
机译:用于分析半导体激光器mBE量子点生长初始阶段的高级RHEED仪器
机译:氮化物半导体激光器的MBE生长
机译:MBE生长的p型氮化物半导体材料
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