控制存储器电阻性质的氧含量系统及方法

摘要

提供了一种存储单元以及用来控制存储材料的电阻性质的方法。此方法包含：形成亚锰酸盐；在氧气氛中对亚锰酸盐进行退火；响应于退火而控制亚锰酸盐中的氧含量；以及响应于氧含量而控制通过亚锰酸盐的电阻。此亚锰酸盐是通式为RE1－xAExMnOy的钙钛矿型氧化锰，其中，RE是稀土离子，AE是碱土离子，x为0.1－0.5。对亚锰酸盐中的氧含量的控制包括形成y大于3的富氧RE1－xAExMnOy区。在富氧的亚锰酸盐区中得到了低的电阻。当y小于3时，形成了高电阻。更具体地说，此工艺形成了邻接贫氧高阻亚锰酸盐区的低阻富氧亚锰酸盐区。