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【2h】

Remote control of resistive switching in TiO2 based resistive random access memory device

机译：基于TiO2电阻随机存取存储器件的电阻切换的远程控制

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Dwipak Prasad Sahu; S. Narayana Jammalamadaka;
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年度 2017
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2. Unipolar resistive switching behavior of Pt/LixZn1-xO/Pt resistive random access memory devices controlled by various defect types [J] . Lin Chun-Cheng, Tseng Zong-Liang, Lo Kuang-Yao, Applied Physics Letters . 2012,第20期

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3. Unipolar resistive switching behavior of Pt/Li_xZn_(1-x)O/Pt resistive random access memory devices controlled by various defect types [J] . Chun-Cheng Lin, Zong-Liang Tseng, Kuang-Yao Lo, Applied Physics Letters . 2012,第20期

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4. Effects of oxygen content and capping metal layer on bipolar switching properties of HfO2-based resistive random access memory devices [C] . Li Chen-Chien, Chang-Liao Kuei-Shu, Chen Ying-Chan, 2011 International Semiconductor Device Research Symposium . 2011

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