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一种电子束化学增幅正性抗蚀剂及其制备方法和光刻工艺

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一种电子束化学增幅正性抗蚀剂及其制备方法和光刻工艺，涉及以P(MMA－TBMA－MAA－IBMA)作为主体树脂，该抗蚀剂属具有高分辨率性能的正性抗蚀剂，或称正胶。本发明提供了主体树脂的合成，光产酸剂二苯碘三氟甲基磺酸盐的合成，本发明抗蚀剂的配方和制备方法，本发明抗蚀剂应用的光刻工艺。本发明为独立自主开发的一种电子束化学增幅正性抗蚀剂，分辨率0.13μm，灵敏度5～10μC/cm

著录项

公开/公告号CN1547078A

专利类型发明专利
公开/公告日2004-11-17

原文格式PDF
申请/专利权人无锡市化工研究设计院;
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申请/专利号CN200310112654.5
发明设计人刘干;邵美姑;
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申请日2003-12-12
分类号G03F7/004;G03F7/039;G03F7/20;
代理机构
代理人
地址 214031 江苏省无锡市运河东路102号
入库时间 2023-12-17 15:39:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2007-08-15

发明专利申请公布后的视为撤回

发明专利申请公布后的视为撤回
2004-11-17

公开

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