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杨凌露; 张改莲; 余尚先;
北京师范大学化学系,北京,100875;
电子束; 抗蚀剂; 化学增幅; 正性; 负性;
机译:化学增幅EUV抗蚀剂中的金属增敏剂:增敏和溶解度研究
机译:电子热能对化学放大电子束抗蚀剂敏化过程的理论研究抵抗电子束罩写入中的加热效果
机译:使用化学放大的抗蚀剂工艺的电子束光刻技术制造7纳米四分之一间距(7纳米间距和21纳米线宽)的线和间隔图案的理论研究:I.灵敏度和化学梯度之间的关系
机译:电子束敏感化学增幅抗蚀剂用于面膜制作的比较评估
机译:砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行,并通过荧光进行抗蚀剂研究。
机译:CUO / PMMA聚合物纳米复合材料作为电子束光刻的新型抗蚀剂材料
机译:电子束诱导的锍盐在化学放大的电子束抗蚀剂的固态中的反应;与光解反应的比较。
机译:甲基丙烯酸酯基电子束抗蚀剂聚合物降解和选择性溶解的化学因素:核磁共振和电子自旋共振研究
机译:制造具有光致抗蚀剂的化学增幅型光致抗蚀剂的共聚物和具有正光致抗蚀剂的化学增幅型正光致抗蚀剂组合物
机译:用于制造化学增幅型抗蚀剂膜的有机加工液的制造方法,用于化学增幅型抗蚀剂膜的有机加工液的制造,图案形成方法,电子设备的制造方法以及电子设备
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