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具半磁性连接之半导体组件

摘要

本发明有关一磁阻半导体组件,其包含一第一连接(1)及一第二连接(3),还有一非磁性半导体层(2),该层配置于该第一连接与第二连接之间,其中该第一连接由一半磁性物质构成。用以作为半磁性物质乃强顺磁性物质,其电子自旋在无一外部磁场作用下不具有优先方位。在一外部磁场作用下,该电子在该第一连接(1)自旋极化,当一电压施加,此导致该自旋极化电子注入进该非磁性半导体(2)。结果在非磁性半导体中,仅有一自旋信道能被用以传输该载荷子,以致于获得一正磁阻效应。

著录项

  • 公开/公告号CN1509413A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2004-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;

    申请/专利号CN02807074.7

  • 发明设计人 L·莫伦坎普;G·施米特;

    申请日2002-03-19

  • 分类号G01R33/09;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人程天正;梁永

  • 地址 德国慕尼黑

  • 入库时间 2023-12-17 15:26:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-03

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R33/09 授权公告日:20080528 终止日期:20160319 申请日:20020319

    专利权的终止

  • 2016-01-20

    专利权的转移 IPC(主分类):G01R33/09 登记生效日:20151230 变更前: 变更后: 申请日:20020319

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-11-07

    专利权的转移 IPC(主分类):G01R33/09 变更前: 变更后: 登记生效日:20120928 申请日:20020319

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-11-07

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01R33/09 变更前: 变更后: 申请日:20020319

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2008-05-28

    授权

    授权

  • 2004-09-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-06-30

    公开

    公开

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