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公开/公告号CN1505831A
专利类型发明专利
公开/公告日2004-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料有限公司;
申请/专利号CN02808978.2
发明设计人 O·亚夫;M·沈;N·加尼;J·D·钦;
申请日2002-02-28
分类号H01L21/027;
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人赵蓉民;彭益群
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 15:22:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2006-06-14
发明专利申请公布后的视为撤回
2004-08-25
实质审查的生效
2004-06-16
公开
机译: 蚀刻有机抗反射涂层(ARC)层的方法
机译:防止反射的纳米结构:对有机层进行等离子蚀刻,以对光学表面进行抗反射涂层
机译:无机-有机混合层,用于光学表面上的抗反射涂层-从等离子蚀刻塑料到玻璃上的复杂层系统
机译:双层抗反射涂层在硅衬底上两层抗反射涂层In2O3 /圆锥形Al2O3和三层抗反射涂层的特性及三层抗反射涂层
机译:Steven Welch,Ingrid Peterson,Oreste Donzella,Tony Dibiase,KLA-Tencor Corp对有机底部抗反射涂层(BARC)的工艺考虑对有机Botton抗反射涂层的工艺考虑BARC对前端和后端的优化离线整合
机译:毫米/亚颌胶波望远镜新型抗反射涂层的研制及宇宙微波背景仪器的优化
机译:使用热湿润的Pt / Pd合金蚀刻掩膜的无光刻法制备大面积亚波长抗反射结构
机译:通过着色蚀刻方法形成的具有N- = SUP = - = / sup = -p-转换和多孔硅的抗反射膜的光电转换器的半导体结构的导电机构。通过着色蚀刻方法形成
机译:控制抗反射涂层厚度的方法和实施装置。 (procede de controle de l'epaisseur d'une couche antireflect et installation de mise en oeuvre)。