首页> 外文OA文献 >Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n-=SUP=-+-=/SUP=--p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления
【2h】

Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с n-=SUP=-+-=/SUP=--p-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления

机译:通过着色蚀刻方法形成的具有N- = SUP = - = / sup = -p-转换和多孔硅的抗反射膜的光电转换器的半导体结构的导电机构。通过着色蚀刻方法形成

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号