在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法

摘要

一种在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法，其将金氧半晶体管的工艺加以修改，以同步制作双载子晶体管与互补式金氧半晶体管，如此将可大幅减少工艺步骤，并降低工艺成本。再者，由于本发明在硅绝缘体基底上形成双载子互补式金氧半导体元件，故可降低元件的寄生电容，避免元件发生闭锁现象，并可增进元件的集成度与操作速度。