法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-07-20
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/60 授权公告日:20080514 终止日期:20150523 申请日:20030523
专利权的终止
2008-05-14
授权
授权
2004-03-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-01-14
公开
公开
机译: 带凸块的半导体封装,通过使用带凸块的半导体封装的方法和方法制造的半导体封装,以精确地形成带有无引线的,用于半导体封装的基片的连接部分的上表面
机译: 用于形成焊料凸块的树脂组合物,焊料凸块的形成方法以及具有焊料凸块的构件
机译: 定位台,凸块形成装置以及使用该凸块形成方法的凸块形成方法