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相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法和形成的结构

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摘要

一种包含C

1. 相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法和形成的结构 [P] . 中国专利： CN1451176A . 2003-10-22
2. 用于相对于氮化硅选择性蚀刻P掺杂多晶硅的组合物及方法 [P] . 中国专利： CN108369898A . 2018-08-03
3. Etchant with selectivity for doped silicon dioxide over undoped silicon dioxide and silicon nitride, processes which employ the etchant, and structures formed thereby [P] . 美国专利： US7319075B2 . 2008-01-15

机译：与未掺杂的二氧化硅和氮化硅相比对掺杂的二氧化硅具有选择性的蚀刻剂，采用该蚀刻剂的工艺以及由此形成的结构
4. Etchant with selectivity for doped silicon dioxide over undoped silicon dioxide and silicon nitride, processes which employ the etchant, and structures formed thereby [P] . 美国专利： US6875371B1 . 2005-04-05

机译：与未掺杂的二氧化硅和氮化硅相比对掺杂的二氧化硅具有选择性的蚀刻剂，采用该蚀刻剂的工艺以及由此形成的结构
5. Etchant with selectivity for doped silicon dioxide over undoped silicon dioxide and silicon nitride, processes which employ the etchant, and structures formed thereby [P] . 美国专利： US2003203639A1 . 2003-10-30

机译：与未掺杂的二氧化硅和氮化硅相比对掺杂的二氧化硅具有选择性的蚀刻剂，采用该蚀刻剂的工艺以及由此形成的结构