首页> 中文期刊> 《半导体技术》 >二氧化硅干法蚀刻参数的优化研究

二氧化硅干法蚀刻参数的优化研究

         

摘要

阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数。应用正交实验,进行了蚀刻速率、均匀性、选择比等主要蚀刻参数的优化,得出主要工艺参数的设置方法和理想条件漂移时的调整方法以及优化选择比的蚀刻方案。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号