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铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法

摘要

一种铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法,其特点是采用碳酸锂(Li2CO3)和氧化铝(Al2O3)或氧化镓(Ga2O3)为原料,按照一定比例配料,压制成块,直接装入坩埚,坩埚密封后置于钟罩式真空电阻炉内,用垂直温梯法生长晶体。原料中采用碳酸锂(Li2CO3),使得密封坩埚内是含CO2和O2的局部氧化气氛,这样既避免了炉内氧化气氛对发热体和保温材料的氧化污染,又有效克服了熔体组分因为还原气氛而挥发的问题,可以生长出作为InN-GaN基蓝光衬底的大面积的铝酸锂和镓酸锂晶体。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-01-25

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2003-12-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-10-22

    公开

    公开

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