半导体晶片处理过程中消除晶片电弧的方法与装置

摘要

一种在半导体处理工序中减少或消除电弧,即,晶片(26)表面介电击穿的方法与装置,包括控制晶片(26)两面的电压,以使电弧或介电击穿不会发生。利用本发明中的静电电极(50)并控制特定的吸附电压,晶片两面电压保持低于阈值电压,因此,电弧或介电击穿得到减少或消除。