加强埋置沟道P场效应晶体管性能和可靠性的深草皮掩模

摘要

一种半导体结构包括环绕埋置沟道P型金属氧化物半导体场效应晶体管的N阱的第一栅导体,和不环绕表面沟道N型金属氧化物半导体场效应晶体管的P阱的第二栅导体,制造该半导体结构的方法包括邻接每个N阱和P阱形成绝缘体,用构图掩模保护N阱,在邻接N阱的绝缘体区域中形成第一草皮,在邻接P阱的绝缘体区域中形成第二草皮,其中第一草皮的深度大于第二草皮。