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机译:具有超薄(EOT = 3.1 nm)N_2O退火的SiN栅极介电层的应变SiGe沟道p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性
Institute of Electronics, National Chiao-Tung University, Hsinchu, 300, Taiwan;
SiGe channel; N_2O-annealed; SiN gate dielectric; SILC; channel-hot-carrier; NBTI;
机译:具有超薄N_2O退火的SiN栅极电介质的深亚微米应变Si_(0.85)Ge_(0.15)沟道p沟道p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)
机译:具有高压缩层间介电SiN_x应力层的SiGe p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低频噪声特性
机译:高迁移率SiGe p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管外延生长在具有HfSiO_2高k介电和金属栅的Si(100)衬底上
机译:超薄氮化硅栅极电介质,具有EOT为0.9 nm及以上的CMOS的富氧界面(OI-SiN)
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:具有二维半导体通道的高性能晶体管的超钝化层的离子凝胶混合栅极电介质
机译:大偏压对具有超薄栅极电介质P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响
机译:用于p沟道场效应晶体管的应变Gasb / alassb量子阱