首页> 中国专利> 线路中的存储器阵列比特单元阈值电压分布式测量

线路中的存储器阵列比特单元阈值电压分布式测量

页面导航

摘要

用于操作包括一个比特单元阵列的一个非逸失性存储器的一个装置和一个方法。在一个工作供电电源和一个测试供电电源之间进行选择,测试供电电源是片上可编程的。如果选择了工作供电电源,就在一个工作模式下操作这个非逸失性存储器。如果选择了测试供电电源,就在一个测试模式下操作这个非逸失性存储器。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-01-11

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C7/00 授权公告日:20070711 终止日期:20151116 申请日:20001116

专利权的终止
2013-07-31

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G11C7/00 变更前: 变更后: 申请日:20001116

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2007-07-11

授权

授权
2004-10-06

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更前: 变更后: 登记生效日:20040903 申请日:20001116

专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
2003-01-22

实质审查的生效

实质审查的生效
2001-05-30

公开

公开

查看全部

1. 线路中的存储器阵列比特单元阈值电压分布式测量 [P] . 中国专利： CN1297231A . 2001-05-30
2. 多比特可编程非易失性存储器单元、阵列及其制造方法 [P] . 中国专利： CN101217149B . 2011.02.16
3. METHOD FOR CONVERGING THRESHOLD VOLTAGE OF MEMORY CELL IN FLASH MEMORY ARRAY AFTER MEMORY CELL IS ERASED AND FLASH MEMORY ARRAY HAVING POWER SOURCE CONTROLLED ACCORDING TO SAME METHOD SO THAT GATE VOLTAGE AND DRAIN VOLTAGE FOR CONVERGING THRESHOLD VOLTAGE OF MEMORY CELL ARE APPLIED [P] . 日本专利： JPH0855487A . 1996-02-27

机译：擦除存储器单元后，将闪存单元中的阈值电压收敛到闪存存储器中，并且闪存门阵列具有按相同方法控制电源的方法，即门电压和漏极电压用于聚合存储单元的阈值电压
4. MEASUREMENT FOR THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTION OF MEMORY ARRAY BIT CELL IN CIRCUIT [P] . 日本专利： JP2001202799A . 2001-07-27

机译：电路中存储器阵列位单元的阈值电压分布的测量
5. ASYNCHRONOUS MULTI-BIT OTP MEMORY CELL AND AN ASYNCHRONOUS MULTI-BIT OTP MEMORY DEVICE, A PROGRAMMING METHOD AND A READ OUT METHOD OF THE SAME, CAPABLE OF REDUCING THE OCCUPANCY AREA OF A CELL ARRAY [P] . 韩国专利： KR20100082046A . 2010-07-16

机译：异步多比特otp存储器单元和异步多比特otp存储器装置，相同的编程方法和读出方法，能够减少单元阵列的占用面积