使用半球形晶粒硅制造电容器的方法

摘要

本发明所公开的是使用HSG膜制造电容器的改进的方法,该方法能够使电容量增加,稳定单元特性和得到没有存储节点间的跨接的电容器。该方法使得在其表面具有HSG膜的存储节点的表面的晶相稳定。稳定的晶相能够有力地支持HSG,并由此防止在清洗步骤中HSG膜与存储节点的表面分离。