带半球形晶粒的电容器下电极的制造方法

摘要

本发明提供一种控制HSG的均匀形成和防止杂质耗尽的大容量电容器的制造方法，其步骤是：形成连接到半导体衬底上的下电极形成区域的第一非晶硅层；在第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；在第二非晶硅层上形成第三非晶硅层；腐蚀部分第一非晶硅层和部分第三非晶硅层并露出它们；在第一非晶硅层和第三非晶硅层的表面上形成微小的半球形晶粒(HSG)；以及通过退火将杂质扩散到HSG内由此形成下电极。